学校法人名古屋電気学園
※2015〜2019年度
件数 | 8 |
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総支出額(百万円) | 36 |
府省庁 | 事業名 | 年度 | 業務概要 | 支出額(百万円) |
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文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2020 | エピタキシャル成長層に含まれる点欠陥の分析 | 10 |
経済産業省 | IoT推進のための横断的な技術開発事業 | 2016 | 超低消費電力データ収集システムの研究開発 | 9 |
文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2019 | エピタキシャル成長層に含まれる点欠陥の分析 | 4 |
文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2016 | 深い不純物準位の同定、エピタキシャル条件との相関評価 | 3 |
文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2015 | 深い不純物準位の同定、エピタキシャル条件との相関評価 | 3 |
文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2018 | エピタキシャル成長層に含まれる点欠陥の分析 | 3 |
文部科学省 | 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 | 2017 | エピタキシャル成長層に含まれる点欠陥の分析 | 3 |
文部科学省 | 宇宙・航空科学技術推進の調整に必要な経費 | 2016 | フライト関連教育・ミニ実験の推進等を実施する。 | 1 |