未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事業
府省庁: 環境省
事業番号: 0023
担当部局: 地球環境局 地球温暖化対策課 地球温暖化対策事業室
事業期間: 2014年〜2021年
会計区分: エネルギー対策特別会計エネルギー需給勘定
実施方法: 委託・請負
事業の目的
将来の資源・環境制約等からバックキャストし、未来のあるべき社会やライフスタイルを実現するための技術を開発・実証し、将来に向け着実に社会に定着させることが必要。特に、将来にわたるエネルギー制約から、エネルギー消費が少なくても豊かな社会・ライフスタイルを早期に実現することが重要。本事業により、社会全体の大幅なエネルギー消費量削減のキーとなる、デバイス（半導体）を高効率化する技術イノベーションを実現する。
事業概要
民生・業務部門を中心にライフスタイルに関連の深い多種多様な電気機器（照明、パワコン、サーバー、動力モーター、変圧器、加熱装置等）に組み込まれている各種デバイスを、高品質GaN（窒化ガリウム）基板を用いることで高効率化し、徹底したエネルギー消費量の削減を実現する技術開発及び実証を行う。 （ノーベル物理学賞（LED）を受賞したGaN関連技術を最大限活用）当該デバイスを照明、パワコン、自動車のモーター等へ実装し、エネルギー消費量削減効果の検証を行う。並行して、量産化手法を確立し、事業終了後の早期の実用化を図る。
予算額・執行額
※単位は100万円
| 年度 | 要求額 | 当初予算 | 補正予算 | 前年度から繰越し | 翌年度へ繰越し | 予備費等 | 予算計 | 執行額 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2014 | - | 600 | 0 | 0 | 0 | 0 | 600 | 539 |
| 2015 | - | 1,500 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1,500 | 1,498 |
| 2016 | 1,900 | 1,900 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1,900 | 1,856 |
| 2017 | 2,500 | 2,500 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2,500 | 2,446 |
| 2018 | 2,500 | 2,500 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2,500 | 2,439 |
| 2019 | 2,500 | 2,500 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2,500 | - |
| 2020 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | - |
成果目標及び成果実績（アウトカム）
本事業によりGaNデバイスの製品化を達成し、一定の需要を生み出すことで、平成42年度に9,669万tCO2程度の波及効果を見込む。本事業の実施期間中は開発・評価段階であるため、成果実績および中間目標値は評価できない。
CO2削減効果 （目標：2030年度に9669 万t-CO2）
| 年度 | 当初見込み | 成果実績 |
|---|---|---|
| 2016 | - 万t-CO2 | - 万t-CO2 |
| 2017 | - 万t-CO2 | - 万t-CO2 |
| 2018 | - 万t-CO2 | - 万t-CO2 |
活動指標及び活動実績（アウトプット）
開発したGaNデバイスを実機搭載した機器の種類
| 年度 | 当初見込み | 活動実績 |
|---|---|---|
| 2016 | 3 種 | 3 種 |
| 2017 | 3 種 | 3 種 |
| 2018 | 5 種 | 5 種 |
主要な支出先
| 年度 | 支出先 | 業務概要 | 支出額（百万円） |
|---|---|---|---|
| 2017 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 超高耐圧GaN縦型トランジスタの開発 | 719 |
| 2018 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 超高耐圧GaN縦型トランジスタの開発 | 710 |
| 2017 | 国立大学法人大阪大学 | GaN種結晶の開発・統括 | 610 |
| 2018 | 国立大学法人大阪大学 | GaN種結晶の開発・統括 | 577 |
| 2017 | パナソニック株式会社 | GaNパワーデバイス・GaN-LEDの開発及び実機評価 | 565 |
| 2016 | パナソニック株式会社 | GaNパワーデバイス・GaN-LEDの開発及び実機評価 | 563 |
| 2014 | 大阪大学、パナソニック(株)等６機関から構成されるコンソーシアム | 高品質GaN基板を用いた超高効率GaNパワー・光デバイスの技術開発とその実証 | 539 |
| 2016 | 株式会社サイオクス | GaN基板、及びエピウエハの開発 | 526 |
| 2018 | パナソニック株式会社 | GaNパワーデバイス・GaN-LEDの開発及び実機評価 | 502 |
| 2015 | 株式会社サイオクス | GaN基板、及びエピウエハの開発 | 489 |
| 2015 | パナソニック株式会社 | GaNパワーデバイス・GaN-LEDの開発及び実機評価 | 463 |
| 2016 | 国立大学法人大阪大学 | GaN種結晶の開発・統括 | 424 |
| 2015 | 国立大学法人大阪大学 | GaN種結晶の開発・統括 | 366 |
| 2018 | 富士通株式会社 | GaNパワーデバイスの実機搭載・評価 | 326 |
| 2018 | 株式会社サイオクス | GaN基板、及びエピウエハの開発 | 324 |
| 2017 | 株式会社サイオクス | GaN基板、及びエピウエハの開発 | 296 |
| 2017 | 国立大学法人福井大学 | 高耐圧GaNトランジスタの開発 | 256 |
| 2016 | 国立大学法人島根大学 | GaNパワーデバイスの試作と電力変換機器の実機評価 | 105 |
| 2016 | 学校法人法政大学 | 高耐圧pn接合ダイオードの開発 | 98 |
| 2016 | 国立大学法人福井大学 | 高耐圧GaNトランジスタの開発 | 70 |
| 2016 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 超高耐圧GaN縦型トランジスタの開発 | 70 |
| 2015 | 国立大学法人福井大学 | 高耐圧GaNトランジスタの開発 | 60 |
| 2015 | 学校法人法政大学 | 高耐圧pn接合ダイオードの開発 | 60 |
| 2015 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 超高耐圧GaN縦型トランジスタの開発 | 60 |
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