株式会社FLOSFIA
※2015〜2019年度
件数 | 8 |
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総支出額(百万円) | 1,937 |
府省庁 | 事業名 | 年度 | 業務概要 | 支出額(百万円) |
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防衛省 | 安全保障技術研究推進制度 | 2020 | 超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究 | 471 |
防衛省 | 安全保障技術研究推進制度 | 2019 | 超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究 | 464 |
防衛省 | 安全保障技術研究推進制度 | 2018 | 超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究 | 313 |
経済産業省 | 脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム (旧:革新的な省エネルギー技術の開発促進事業) | 2019 | コランダム構造酸化ガリウムα―Ga2O3を用いた600V耐圧SBDの開発 | 202 |
内閣府 | 戦略的イノベーション創造プログラム(エネルギー分野、次世代インフラ分野及び地域資源分野) | 2019 | ソース、ドレインを再成長エピ技術で形成する横型プレーナゲート構造α-Ga2O3 MOSFETを試作する。また、再成長エピ技術を応用し、縦型プレーナゲート構造で縦方向に電流を流すアパーチャ構造の試作にもチャレンジする。 | 197 |
経済産業省 | 革新的な省エネルギー技術の開発促進事業 | 2018 | コランダム構造酸化ガリウムα―Ga2O3を用いた600V耐圧SBDの開発 | 134 |
内閣府 | 戦略的イノベーション創造プログラム(エネルギー分野、次世代インフラ分野及び地域資源分野) | 2020 | MOSFETの開発 | 117 |
経済産業省 | エネルギー・環境分野の中長期的課題解決に資する新技術先導研究プログラム(旧:エネルギー・環境新技術先導プログラム) | 2015 | 高品質/高均質薄膜を実現する非真空成膜プロセスの研究開発 | 39 |