株式会社FLOSFIA

※2015〜2019年度

件数8
総支出額(百万円)1,937
府省庁事業名年度業務概要支出額(百万円)
防衛省安全保障技術研究推進制度2020超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究471
防衛省安全保障技術研究推進制度2019超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究464
防衛省安全保障技術研究推進制度2018超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究313
経済産業省脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム (旧:革新的な省エネルギー技術の開発促進事業)2019コランダム構造酸化ガリウムα―Ga2O3を用いた600V耐圧SBDの開発202
内閣府戦略的イノベーション創造プログラム(エネルギー分野、次世代インフラ分野及び地域資源分野)2019ソース、ドレインを再成長エピ技術で形成する横型プレーナゲート構造α-Ga2O3 MOSFETを試作する。また、再成長エピ技術を応用し、縦型プレーナゲート構造で縦方向に電流を流すアパーチャ構造の試作にもチャレンジする。197
経済産業省革新的な省エネルギー技術の開発促進事業2018コランダム構造酸化ガリウムα―Ga2O3を用いた600V耐圧SBDの開発134
内閣府戦略的イノベーション創造プログラム(エネルギー分野、次世代インフラ分野及び地域資源分野)2020MOSFETの開発117
経済産業省エネルギー・環境分野の中長期的課題解決に資する新技術先導研究プログラム(旧:エネルギー・環境新技術先導プログラム)2015高品質/高均質薄膜を実現する非真空成膜プロセスの研究開発39
構想日本
日本大学尾上研究室
Visualizing.JP
特定非営利活動法人Tansa
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